Tranzystory MOSFET
Fot. Dacpol
Wykorzystanie węglika krzemu (SiC) w Tranzystorach MOSFET G3R™ SiC firmy GeneSiC umożliwia uzyskanie niespotykanych dotychczas poziomów wydajności, pracy w wysokich temperaturach oraz przekłada się na niezawodność urządzeń.
Tranzystory MOSFET wykorzystywane są w różnych rozwiązaniach technicznych:
- zasilacze impulsowe,
- Smart Grid i HVDC,
- Elektromobilność,
- instalacje fotowoltaiczne oraz magazyny energii,
- grzejnictwo indukcyjne,
- ładowarki do pojazdów elektrycznych,
- napędy silnikowe,
- przekształtniki wysokonapięciowe,
- spawalnictwo.
Budowa tranzystorów umożliwia pracę w temperaturach aż do 175°C. Dzięki nowoczesnym technologiom tranzystory te mają niskie straty przewodzenia. Dodatkowo charakteryzują się wysoką wytrzymałością zwarciową.
MOSFET (ang. Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) – technologia produkcji tranzystorów polowych z izolowaną bramką i obwodów układów scalonych. Jest to aktualnie podstawowa technologia produkcji większości układów scalonych stosowanych w komputerach i stanowi element technologii CMOS.
W technologii MOSFET tranzystory są produkowane w formie trzech warstw. Dolna warstwa to płytka wycięta z monokryształu krzemu lub krzemu domieszkowanego germanem. Na płytkę tę napyla się bardzo cienką warstwę krzemionki lub innego tlenku metalu lub półmetalu, która pełni funkcję izolatora. Warstwa ta musi być ciągła (bez dziur), ale jak najcieńsza. Obecnie w najbardziej zaawansowanych technologicznie procesorach warstwa ta ma grubość pięciu cząsteczek tlenku. Na warstwę tlenku napyla się z kolei bardzo cienką warstwę dobrze przewodzącego metalu (np. złota). Układ trzech warstw tworzy prosty tranzystor lub pojedynczą bramkę logiczną układu procesora
